Ruqi Han: шукати на сайті Z-Library

Clinical Reviews in Allergy & Immunology

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 228 KB

english, 2003

[IEEE Electrical Performance of Electronic Packaging - Austin, TX (2004.10.27-2004.10.27)] Electrical Performance of Electronic Packaging IWCE-04 - Simulation of Si and Ge UTB MOSFETs using Monte Carlo method based on the quantum Boltzmann equation

Gang Du,, Xiaoyan Liu,, Zhiliang Xia,, Ruqi Han,

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 116 KB

english, 2004

Multiple Genetic Variants Associated with Primary Biliary Cirrhosis in a Han Chinese Population

Dong, Ming, Li, Jinxin, Tang, Ruqi, Zhu, Ping, Qiu, Fang, Wang, Chan, Qiu, Jie, Wang, Lan, Dai, Yaping, Xu, Ping, Gao, Yueqiu, Han, Chongxu, Wang, Yongzhong, Wu, Jian, Wu, Xudong, Zhang, Kui, Dai, Na,

Журнал:

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 165 KB

english, 2015

The impact of line edge roughness on the stability of a FinFET SRAM

Yu, Shimeng, Zhao, Yuning, Du, Gang, Kang, Jinfeng, Han, Ruqi, Liu, Xiaoyan

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.51 MB

english, 2009

[IEEE 6th International Conference on Solid-State and IC Technology - Shanghai, China (22-25 Oct. 2001)] 2001 6th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443) - Structural and electrical properties of CeO/sub 2//Si with nitrided interfacial layer by nitrogen ion beam bombardment

Jinfeng Kang,, Xiaoyan Liu,, Ruqi Han,, Yangyuan Wang,, Lian, G.J., Kun Xun,, Yu, D.P., Xiong, G.C., Wu, S.C., Wang, Y.G.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 249 KB

english, 2001

Different interdiffusion characteristics between AgYBa2Cu3O7−x and AlYBa2Cu3O7−x contact interfaces

Kang Jinfeng, Chen Xin, Wang Youxiang, Han Ruqi, Xiong Guangcheng, Lian Guijun, Li Jie, Wu Sicheng

Журнал:

Solid State Communications

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 298 KB

english, 1995

Studies of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(1 0 0) substrates

Dedong Han, Yi Wang, Dayu Tian, Wei Wang, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 175 KB

english, 2005

Time-dependent transport: Time domain recursively solving NEGF technique

Danqiong Hou, Yuhui He, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Jie Chen, Ruqi Han

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 184 KB

english, 2006

Carrier effective mobilities in germanium MOSFET inversion layer investigated by Monte Carlo simulation

Zhiliang Xia, Gang Du, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han

Журнал:

Solid State Communications

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 144 KB

english, 2005

A novel hydrodynamic model for nanoscale devices simulation

Enfeng Liu, Ruqi Han, Erping Li, Ping Bai

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 425 KB

english, 2003

Direct tunneling current model for MOS devices with ultra-thin gate oxide including quantization effect and polysilicon depletion effect

Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 318 KB

english, 2003

The influence of tunneling effect and inversion layer quantization effect on threshold voltage of deep submicron MOSFETs

Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Xudong Guan, Ruqi Han, Yangyuan Wang

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 158 KB

english, 2000

Analytical modeling for the collector current in SOI gate-controlled hybrid transistor

Ru Huang, Yang Yuan Wang, RuQi Han

Журнал:

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 300 KB

english, 1996

Interfacial and structural characteristics of CeO2 films on silicon with a nitrided interface formed by nitrogen-ion-beam bombardment

Jinfeng Kang, Kun Xun, Xiaoyan Liu, Ruqi Han, Yangyuan Wang, D.P Yu, G.J Lian, G.C Xiong, S.C Wu

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.57 MB

english, 2002

Crystal-orientation controlled epitaxial CeO2 dielectric thin films on Si(100) substrates using pulsed laser deposition

Jinfeng Kang, Xiaoyan Liu, Guijun Lian, Zhaohui Zhang, Guangcheng Xiong, Xudong Guan, Ruqi Han, Yangyuan Wang

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 146 KB

english, 2001

Improved sensing scheme for FeRAM

Jinghua Zhang, Jinfeng Kang, Shuzuo Lou, Meng Liu, Changhai Lin, Xiaoyan Liu, Ruqi Han

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 212 KB

english, 2003

Electrical properties of Al2O3 gate dielectrics

Changhai Lin, Jinfeng Kang, Dedong Han, Dayu Tian, Wei Wang, Jinghua Zhang, Meng Liu, Xiaoyan Liu, Ruqi Han

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 119 KB

english, 2003

A MOS-based behavioral macro-model for ferroelectric capacitors

Meng Liu, Jinfeng Kang, Jinghua Zhang, Xiaoyan Liu, Ruqi Han

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 171 KB

english, 2003

Engineering oxide resistive switching materials for memristive device application

Lifeng Liu, Bing Chen, Bin Gao, Feifei Zhang, Yuansha Chen, Xiaoyan Liu, Yi Wang, Ruqi Han, Jinfeng Kang

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 705 KB

english, 2011

Fabrication and characteristics of ZnO MOS capacitors with high-KHfO2gate dielectrics

DeDong Han, Yi Wang, ShengDong Zhang, Lei Sun, JinFeng Kang, XiaoYan Liu, Gang Du, LiFeng Liu, RuQi Han

Журнал:

Science China Technological Sciences

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 648 KB

english, 2010

High frequency performance of nano-scale ultra-thin-body Schottky-barrier n-MOSFETs

Gang Du, XiaoYan Liu, RuQi Han

Журнал:

SCIENCE CHINA Information Sciences

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 585 KB

english, 2011

Simulation of inhomogeneous strain in Ge-Si core-shell nanowires

Yuhui He, Yuning Zhao, Chun Fan, Xiaoyan Liu, Ruqi Han

Журнал:

Frontiers of Electrical and Electronic Engineering

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 278 KB

english, 2009

Reliability characteristics of high-K gate dielectrics HfO2 in metal-oxide semiconductor capacitors

Dedong Han, Jinfeng Kang, Changhai Lin, Ruqi Han

Журнал:

Journal of Electronics (China)

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 146 KB

english, 2003

The distribution of density of gap states for phosphorus doped amorphous silicon measured by DLTS

Du Yongchang, Zhang Yufeng, Yang Datong, Zhang Guanghua, Han Ruqi

Журнал:

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 226 KB

english, 1985

Implementation and characterization of self-aligned double-gate TFT with thin channel and thick source/drain

Shengdong Zhang, Ruqi Han, Sin, J.K.O., Mansun Chan

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2002

Reduction of off-current in self-aligned double-gate TFT with mask-free symmetric LDD

Shengdong Zhang, Ruqi Han, Sin, J.K.O., Mansun Chan

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 248 KB

english, 2002

A viable self-aligned bottom-gate MOS transistor technology for deep submicron 3-D SRAM

Shengdong Zhang, Chan, A.C.K., Ruqi Han, Ru Huang, Xiaoyan Liu, Yangyuan Wang, Ko, P.K., Mansun Chan

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 2003

A self-aligned, electrically separable double-gate MOS transistor technology for dynamic threshold voltage application

Shengdong Zhang, Xinnan Lin, Ru Huang, Ruqi Han, Mansun Chan

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 353 KB

english, 2003

Monte Carlo simulation of p- and n-channel GOI MOSFETs by solving the quantum Boltzmann equation

Gang Du, Xiaoyan Liu, Zhiliang Xia, Jinfeng Kang, Yi Wang, Ruqi Han, HongYu Yu, Dim-Lee Kwong

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 894 KB

english, 2005

Impact of Line-Edge Roughness on Double-Gate Schottky-Barrier Field-Effect Transistors

Shimeng Yu, Yuning Zhao, Lang Zeng, Gang Du, Jinfeng Kang, Ruqi Han, Xiaoyan Liu

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.24 MB

english, 2009

Performance Evaluation of GaAs–GaP Core–Shell-Nanowire Field-Effect Transistors

Yuhui He, Yuning Zhao, Chun Fan, Jinfeng Kang, Ruqi Han, Xiaoyan Liu

Журнал: